Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 04 dez. 2025.APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 dez. 04 ]
