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Artigo de periodico
Splitting of the zero-energy edge states in bilayer graphene (2010)
Lima, Matheus P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
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ABNT
LIMA, Matheus P e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Splitting of the zero-energy edge states in bilayer graphene. Physical Review B, v. 81, n. 4, p. 045430/1-045430/10, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.045430. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2010). Splitting of the zero-energy edge states in bilayer graphene. Physical Review B, 81( 4), 045430/1-045430/10. doi:10.1103/physrevb.81.045430
NLM
Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Splitting of the zero-energy edge states in bilayer graphene [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 4): 045430/1-045430/10.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.045430
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Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Splitting of the zero-energy edge states in bilayer graphene [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 4): 045430/1-045430/10.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.045430
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413/1-195413/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413/1-195413/4. doi:10.1103/PhysRevB.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
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Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
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Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Artigo de periodico
Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study (2010)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Piquini, P; Arantes, José Tadeu; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Piquini, P., Arantes, J. T., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2010). Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, 81( 19), 195432. doi:10.1103/PhysRevB.81.195432
NLM
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Vancouver
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Artigo de periodico
Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC (2010)
Lima, Matheus P; Rocha, A R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
LIMA, Matheus P et al. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, M. P., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2010). Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, 82( 15), 1534023/1-153402/4. doi:10.1103/physrevb.82.153402
NLM
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402
Vancouver
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402
Artigo de periodico
Formation of atomic carbon chains from graphene nanoribbons (2010)
Hobi Junior, Edwin; Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
HOBI JUNIOR, Edwin et al. Formation of atomic carbon chains from graphene nanoribbons. Physical Review B, v. 81, n. 20, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.201406. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Hobi Junior, E., Pontes, R. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Formation of atomic carbon chains from graphene nanoribbons. Physical Review B, 81( 20). doi:10.1103/physrevb.81.201406
NLM
Hobi Junior E, Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Formation of atomic carbon chains from graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 20):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.201406
Vancouver
Hobi Junior E, Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Formation of atomic carbon chains from graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 20):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.201406
Artigo de periodico
Organic molecule assembled between carbon nanotubes: a highly efficient switch device (2009)
Martins, Thiago Barros; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, Thiago Barros e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Organic molecule assembled between carbon nanotubes: a highly efficient switch device. Physical Review B, v. 79, n. 11, p. 115413-1/115413-4, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Martins, T. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2009). Organic molecule assembled between carbon nanotubes: a highly efficient switch device. Physical Review B, 79( 11), 115413-1/115413-4. doi:10.1103/physrevb.79.115413
NLM
Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Organic molecule assembled between carbon nanotubes: a highly efficient switch device [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115413-1/115413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115413
Vancouver
Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Organic molecule assembled between carbon nanotubes: a highly efficient switch device [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115413-1/115413-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115413
Artigo de periodico
Edge effects in bilayer graphene nanoribbons: Ab initio total-energy density functional theory (2009)
Lima, Matheus P; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Edge effects in bilayer graphene nanoribbons: Ab initio total-energy density functional theory. Physical Review B, v. 79, n. 15, p. 153401-1/153401-4, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000015153401000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2009). Edge effects in bilayer graphene nanoribbons: Ab initio total-energy density functional theory. Physical Review B, 79( 15), 153401-1/153401-4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000015153401000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Edge effects in bilayer graphene nanoribbons: Ab initio total-energy density functional theory [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 15): 153401-1/153401-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000015153401000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Edge effects in bilayer graphene nanoribbons: Ab initio total-energy density functional theory [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 15): 153401-1/153401-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000015153401000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations (2009)
Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto ; Dalpian, Gustavo Martini
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges e FAZZIO, Adalberto e DALPIAN, Gustavo Martini. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 79, n. 3, p. 033412-1/033412-4, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Pontes, R. B., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations. Physical Review B, 79( 3), 033412-1/033412-4. doi:10.1103/physrevb.79.033412
NLM
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Vancouver
Pontes RB, Fazzio A, Dalpian GM. Barrier-free substitutional doping of graphene sheets with boron atoms: Ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 3): 033412-1/033412-4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.033412
Artigo de periodico
Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons (2009)
Rigo, V A; Martins, T B; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Miwa, R H
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIGO, V A et al. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, v. 79, n. 7, p. 075435/1-075435/9, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Rigo, V. A., Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2009). Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, 79( 7), 075435/1-075435/9. doi:10.1103/physrevb.79.075435
NLM
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Vancouver
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Artigo de periodico
Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study (2008)
Arantes, José Tadeu; Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES, José Tadeu e DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study. Physical Review B, v. 78, n. 4, p. 045402/1-045402/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes, J. T., Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2008). Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study. Physical Review B, 78( 4), 045402/1-045402/5. doi:10.1103/physrevb.78.045402
NLM
Arantes JT, Dalpian GM, Fazzio A. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 78( 4): 045402/1-045402/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402
Vancouver
Arantes JT, Dalpian GM, Fazzio A. Quantum confinement effects on Mn-doped InAs nanocrystals: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 78( 4): 045402/1-045402/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.78.045402
Artigo de periodico
First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes (2008)
Rossato, J; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSATO, J et al. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes. Physical Review B, v. 77, n. 3, p. 035129/1-035129/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Rossato, J., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2008). First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes. Physical Review B, 77( 3), 035129/1-035129/6. doi:10.1103/physrevb.77.035129
NLM
Rossato J, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 3): 035129/1-035129/6.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129
Vancouver
Rossato J, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 3): 035129/1-035129/6.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129
Artigo de periodico
Transport properties of single vacancies in nanotubes (2008)
Rocha, A R; Padilha, J E; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, A R et al. Transport properties of single vacancies in nanotubes. Physical Review B, v. 77, n. 15, p. 153406/1-153406/4, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Rocha, A. R., Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2008). Transport properties of single vacancies in nanotubes. Physical Review B, 77( 15), 153406/1-153406/4. doi:10.1103/physrevb.77.153406
NLM
Rocha AR, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Transport properties of single vacancies in nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 15): 153406/1-153406/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406
Vancouver
Rocha AR, Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Transport properties of single vacancies in nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 15): 153406/1-153406/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.153406
Artigo de periodico
Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations (2007)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, v. 75, n. 19, p. 193203/1-193203/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, 75( 19), 193203/1-193203/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 075316/1-075316/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure. Physical Review B, 75( 4), 075316/1-075316/4. doi:10.1103/physrevb.75.075316
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of a Mn-doped Si/Ge heterostructure [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 075316/1-075316/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.075316
Artigo de periodico
EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation (2007)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, v. 75, n. 16, p. 165324/1-165324/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, 75( 16), 165324/1-165324/5. doi:10.1103/physrevb.75.165324
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Artigo de periodico
Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Oxygen-induced atomic desorptions in oxynitrides: Density functional calculations (2005)
Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, DIELÉTRICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, Walter M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Oxygen-induced atomic desorptions in oxynitrides: Density functional calculations. Physical Review B, v. 72, n. 20, p. 205316/1-205316/5, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.205316. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2005). Oxygen-induced atomic desorptions in oxynitrides: Density functional calculations. Physical Review B, 72( 20), 205316/1-205316/5. doi:10.1103/physrevb.72.205316
NLM
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Oxygen-induced atomic desorptions in oxynitrides: Density functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 20): 205316/1-205316/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.205316
Vancouver
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Oxygen-induced atomic desorptions in oxynitrides: Density functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 20): 205316/1-205316/5.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.205316
Artigo de periodico
Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors (2005)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, R R; Oliveira, L E
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 72, n. 12, p. 125208/1-125208/8, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R., & Oliveira, L. E. (2005). Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 72( 12), 125208/1-125208/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR, Oliveira LE. Disorder and the effective Mn-Mn exchange interaction in Ga1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 12): 125208/1-125208/8.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=PRBMDO000072000012125208000001&idtype=cvips&gifs=yes

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