Filtros : "FAZZIO, ADALBERTO" "Journal of Physics-Condensed Matter" Limpar

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  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Assunto: ESPECTROSCOPIA

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical investigation of Hf and Zr defects in c-Ge. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 1, p. 012206/1-012206/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/1/012206. Acesso em: 04 dez. 2025.
    • APA

      Scopel, W. L., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2009). Theoretical investigation of Hf and Zr defects in c-Ge. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 1), 012206/1-012206/3. doi:10.1088/0953-8984/21/1/012206
    • NLM

      Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical investigation of Hf and Zr defects in c-Ge [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 1): 012206/1-012206/3.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/1/012206
    • Vancouver

      Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical investigation of Hf and Zr defects in c-Ge [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 1): 012206/1-012206/3.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/21/1/012206
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: EP, IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 14, n. 48, p. 12761-12765, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314. Acesso em: 04 dez. 2025.
    • APA

      Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon. Journal of Physics-Condensed Matter, 14( 48), 12761-12765. doi:10.1088/0953-8984/14/48/314
    • NLM

      Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
    • Vancouver

      Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Arsenic segregation, pairing and mobility on the cores of partial dislocations in silicon [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2002 ; 14( 48): 12761-12765.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/14/48/314
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10235-10239, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323. Acesso em: 04 dez. 2025.
    • APA

      Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10235-10239. doi:10.1088/0953-8984/12/49/323
    • NLM

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
    • Vancouver

      Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. The effect of a stacking fault on the electronic properties of dopants in gallium arsenide [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10235-10239.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/323
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto e ANTONELLI, Alex. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 12, n. 49, p. 10039-10044, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303. Acesso em: 04 dez. 2025.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2000). Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors. Journal of Physics-Condensed Matter, 12( 49), 10039-10044. doi:10.1088/0953-8984/12/49/303
    • NLM

      Justo Filho JF, Fazzio A, Antonelli A. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10039-10044.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Fazzio A, Antonelli A. Dislocation core reconstruction in zinc-blende semiconductors [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2000 ; 12( 49): 10039-10044.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/12/49/303

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