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Artigo de periodico
Anion-antisite-like defects in iii-v compounds (1990)
Caldas, Marilia Junqueira ; Dabrowski, J.; Fazzio, Adalberto ; Scheffler, M
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Anion-antisite-like defects in iii-v compounds. Physical Review Letters, v. 65, n. 16, p. 2046-9, 1990Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Caldas, M. J., Dabrowski, J., Fazzio, A., & Scheffler, M. (1990). Anion-antisite-like defects in iii-v compounds. Physical Review Letters, 65( 16), 2046-9.
NLM
Caldas MJ, Dabrowski J, Fazzio A, Scheffler M. Anion-antisite-like defects in iii-v compounds. Physical Review Letters. 1990 ;65( 16): 2046-9.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Caldas MJ, Dabrowski J, Fazzio A, Scheffler M. Anion-antisite-like defects in iii-v compounds. Physical Review Letters. 1990 ;65( 16): 2046-9.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento
Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors (1990)
Fazzio, Adalberto ; Mota, R.; Lima, G A R
Conference titles: International Conference on Transport Properties of Superconductors. Unidade: IF
Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e MOTA, R. e LIMA, G A R. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990, Anais.. Singapure: World Scientific, 1990. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Mota, R., & Lima, G. A. R. (1990). Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. In . Singapure: World Scientific.
NLM
Fazzio A, Mota R, Lima GAR. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Mota R, Lima GAR. Dynamic spin susceptibility in the two-band model in high 'TE' superconductors. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon (1990)
Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A; Ferreira de Paula Junior, H; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, v. 5 , n. 3 , p. 196-9, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Antonelli, A., Ferreira de Paula Junior, H., & Canuto, S. R. A. (1990). Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, 5 ( 3 ), 196-9. doi:10.1088/0268-1242/5/3/002
NLM
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto SRA. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002
Vancouver
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto SRA. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002
Artigo de periodico
Isothermal annealing kinetics of irradiated phyrene by epr (1990)
Fazzio, Adalberto ; Partiti, M S; Pontuschka, Walter Maigon; Piccini, Angelo
Source: Radiation Research. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Isothermal annealing kinetics of irradiated phyrene by epr. Radiation Research, v. 12, p. 126, 1990Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Partiti, M. S., Pontuschka, W. M., & Piccini, A. (1990). Isothermal annealing kinetics of irradiated phyrene by epr. Radiation Research, 12, 126.
NLM
Fazzio A, Partiti MS, Pontuschka WM, Piccini A. Isothermal annealing kinetics of irradiated phyrene by epr. Radiation Research. 1990 ; 12 126.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Partiti MS, Pontuschka WM, Piccini A. Isothermal annealing kinetics of irradiated phyrene by epr. Radiation Research. 1990 ; 12 126.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Eletronic structure of native defects in iii-v compound (1990)
Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira ; Dabronski, J; Scheffer, M
Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Eletronic structure of native defects in iii-v compound. 1990, Anais.. Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., Dabronski, J., & Scheffer, M. (1990). Eletronic structure of native defects in iii-v compound. In . Thessaloniki: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Dabronski J, Scheffer M. Eletronic structure of native defects in iii-v compound. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Dabronski J, Scheffer M. Eletronic structure of native defects in iii-v compound. 1990 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Anion-antisite-defects in 'GA''AS': 'AS' and 'SB' (1990)
Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira ; Dabrowski, J.; Scheffler, M
Source: International of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Anion-antisite-defects in 'GA''AS': 'AS' and 'SB'. International of Quantum Chemistry, v. 24, p. 563-8, 1990Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., Dabrowski, J., & Scheffler, M. (1990). Anion-antisite-defects in 'GA''AS': 'AS' and 'SB'. International of Quantum Chemistry, 24, 563-8.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Dabrowski J, Scheffler M. Anion-antisite-defects in 'GA''AS': 'AS' and 'SB'. International of Quantum Chemistry. 1990 ;24 563-8.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Dabrowski J, Scheffler M. Anion-antisite-defects in 'GA''AS': 'AS' and 'SB'. International of Quantum Chemistry. 1990 ;24 563-8.[citado 2025 dez. 05 ]

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