Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon (1990)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF ; ANTONELLI, ALEX - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1088/0268-1242/5/3/002
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.5 , n.3 , p.196-9, 1990
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FAZZIO, A et al. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, v. 5 , n. 3 , p. 196-9, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002. Acesso em: 14 set. 2024. -
APA
Fazzio, A., Antonelli, A., Ferreira de Paula Junior, H., & Canuto, S. (1990). Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon. Semiconductor Science and Technology, 5 ( 3 ), 196-9. doi:10.1088/0268-1242/5/3/002 -
NLM
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto S. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002 -
Vancouver
Fazzio A, Antonelli A, Ferreira de Paula Junior H, Canuto S. Many-electron treatment for chalcogen complexes in silicon [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1990 ;5 ( 3 ): 196-9.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/5/3/002 - Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon
- Correlation effects nad structural stability in si: o, s< and 'N POT.-'
- Donor impurities, n-typedoping , and impurity diffusion in diamond
- Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3': optical properties
- New insight into the electronic structure of 'AS IND.2''SE IND.3'
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- Crystalline 'AS IND.2''SE IND.3' electronic and geometric structure
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Informações sobre o DOI: 10.1088/0268-1242/5/3/002 (Fonte: oaDOI API)
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