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  • Artigo de periodico

    Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)

    Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto

    Fonte: Physical Review. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 05 dez. 2025.

    • APA

      Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407

    • NLM

      Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407

    • Vancouver

      Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407

  • Artigo de periodico

    Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)

    Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A

    Fonte: Physica B. Unidade: IF

    Assuntos: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 05 dez. 2025.

    • APA

      Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8

    • NLM

      Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
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