Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (2003)
Unidade: IFAssunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BARBOSA, Karina de Oliveira. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/. Acesso em: 27 nov. 2025.APA
Barbosa, K. de O. (2003). Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/NLM
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/Vancouver
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
