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Artigo de periodico
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Santos, O. F. P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F
Fonte: Applied Surface Science. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, LUMINESCÊNCIA, ESPECTROS, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells. Applied Surface Science, v. 254, n. 23, p. Se 2008, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.034. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Santos, O. F. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2008). Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells. Applied Surface Science, 254( 23), Se 2008. doi:10.1016/j.apsusc.2008.02.034
NLM
Rodrigues SCP, Santos OFP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; 254( 23): Se 2008.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.034
Vancouver
Rodrigues SCP, Santos OFP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; 254( 23): Se 2008.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.034
Artigo de periodico
The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Fonte: Applied Surface Science. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SPIN, POLARIZAÇÃO, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015

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