Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (1998)
Unidade: IFSubjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LEVINE, Alexandre. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p'. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/. Acesso em: 05 dez. 2025.APA
Levine, A. (1998). Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/NLM
Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/Vancouver
Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/
