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  • Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, SPIN

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    • ABNT

      ULLAH, Saeed et al. Long-lived nanosecond spin coherence in high-mobility 2DEGs confined in double and triple quantum wells. PHYSICAL REVIEW B, v. 94, n. 4, p. 045313, 2016Tradução . . Disponível em: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.045313. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Ullah, S., Bakarov, A. K., Gusev, G., & Gonzalez Hernandez, F. G. (2016). Long-lived nanosecond spin coherence in high-mobility 2DEGs confined in double and triple quantum wells. PHYSICAL REVIEW B, 94( 4), 045313. doi:10.1063/1.4953007
    • NLM

      Ullah S, Bakarov AK, Gusev G, Gonzalez Hernandez FG. Long-lived nanosecond spin coherence in high-mobility 2DEGs confined in double and triple quantum wells [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2016 ; 94( 4): 045313.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.045313
    • Vancouver

      Ullah S, Bakarov AK, Gusev G, Gonzalez Hernandez FG. Long-lived nanosecond spin coherence in high-mobility 2DEGs confined in double and triple quantum wells [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2016 ; 94( 4): 045313.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.94.045313
  • Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

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    • ABNT

      SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414
    • NLM

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
    • Vancouver

      Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
  • Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428
    • NLM

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
    • Vancouver

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
  • Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assuntos: CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      GONZALEZ HERNANDEZ, Felix Guillermo et al. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 16, p. 161305, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Gonzalez Hernandez, F. G., Bakarov, A. K., Nunes, L. M., & Gusev, G. (2013). Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, 88( 16), 161305. doi:10.1103/PhysRevB.88.161305
    • NLM

      Gonzalez Hernandez FG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305
    • Vancouver

      Gonzalez Hernandez FG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305
  • Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      GONZALEZ HERNANDEZ, Felix Guillermo et al. Linear and nonlinear transport in a small charge-tunable open quantum ring. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 7, p. 075332, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.075332. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Gonzalez Hernandez, F. G., Kvon, Z. D., Portal, J. C., & Gusev, G. M. (2011). Linear and nonlinear transport in a small charge-tunable open quantum ring. PHYSICAL REVIEW B, 84( 7), 075332. doi:10.1103/PhysRevB.84.075332
    • NLM

      Gonzalez Hernandez FG, Kvon ZD, Portal JC, Gusev GM. Linear and nonlinear transport in a small charge-tunable open quantum ring [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 7): 075332.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.075332
    • Vancouver

      Gonzalez Hernandez FG, Kvon ZD, Portal JC, Gusev GM. Linear and nonlinear transport in a small charge-tunable open quantum ring [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 7): 075332.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.075332

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