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  • Artigo de periodico

    Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures (2017)

    Kondratenko, Serhiy V.; Iliash, Sviatoslav A.; Vakulenko, Oleg V.; Mazur, Yuriy I.; Benamara, Mourad; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, Gregory J.

    Source: Nanoscale Research Letters. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FOTOCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      KONDRATENKO, Serhiy V. et al. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, v. 12, p. 183-1-183-7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7. Acesso em: 27 jul. 2024.

    • APA

      Kondratenko, S. V., Iliash, S. A., Vakulenko, O. V., Mazur, Y. I., Benamara, M., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2017). Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures. Nanoscale Research Letters, 12, 183-1-183-7. doi:10.1186/s11671-017-1954-7

    • NLM

      Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Júnior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2024 jul. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7

    • Vancouver

      Kondratenko SV, Iliash SA, Vakulenko OV, Mazur YI, Benamara M, Marega Júnior E, Salamo GJ. Photoconductivity relaxation mechanisms of InGaAs/GaAs quantum dot chain structures [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2017 ; 12 183-1-183-7.[citado 2024 jul. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s11671-017-1954-7

  • Artigo de periodico

    Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors (2011)

    Santos, Osmar F. P.; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luísa M. R.; Silva Júnior, Eronides F.

    Source: Nanoscale Research Letters. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, CARGA ELÉTRICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Osmar F. P. et al. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, v. 6, n. 1, p. 175-1-175-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175. Acesso em: 27 jul. 2024.

    • APA

      Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. (2011). Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, 6( 1), 175-1-175-6. doi:10.1186/1556-276x-6-175

    • NLM

      Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2024 jul. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175

    • Vancouver

      Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2024 jul. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175
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