Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors (2011)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1186/1556-276x-6-175
- Subjects: SEMICONDUTORES; SISTEMAS HAMILTONIANOS; CARGA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Nanoscale Research Letters
- ISSN: 1931-7573
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 6, n. 1, p. 175-1-175-6, Dec. 2011
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SANTOS, Osmar F. P. et al. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, v. 6, n. 1, p. 175-1-175-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175. Acesso em: 23 fev. 2026. -
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. (2011). Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, 6( 1), 175-1-175-6. doi:10.1186/1556-276x-6-175 -
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2026 fev. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175 -
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2026 fev. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175 - Ultrafast spin lasers
- Exchange-correlation parametrizations effects in DMS: (Zn, Co)O and (Ga,Mn)As
- Theoretical luminescence spectra from spin-polarized diluted magnetic semiconductor heterostructures
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Luminescence spectra in diluted nitride semiconductors
- Optical properties of III-V-TM ferromagnetic multilayers
- Application of quaternary AlInGaN-based alloys for light emission devices
- Simulações computacionais em semicondutores magnéticos diluídos (SMDs)
- Tailoring graphene spintronics from first principles
- Graphene spintronics: spin injection and proximity effects from first principles
Informações sobre o DOI: 10.1186/1556-276x-6-175 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
| Study of the vertical tra... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
