Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors (2011)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1186/1556-276x-6-175
- Subjects: SEMICONDUTORES; SISTEMAS HAMILTONIANOS; CARGA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Nanoscale Research Letters
- ISSN: 1931-7573
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 6, n. 1, p. 175-1-175-6, Dec. 2011
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by
-
ABNT
SANTOS, Osmar F. P. et al. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, v. 6, n. 1, p. 175-1-175-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175. Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. (2011). Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors. Nanoscale Research Letters, 6( 1), 175-1-175-6. doi:10.1186/1556-276x-6-175 -
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175 -
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Study of the vertical transport in p-doped superlattices based on group III-V semiconductors [Internet]. Nanoscale Research Letters. 2011 ; 6( 1): 175-1-175-6.[citado 2024 abr. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276x-6-175 - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
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Informações sobre o DOI: 10.1186/1556-276x-6-175 (Fonte: oaDOI API)
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