Menu

Filtros : "Journal of Applied Physics" "IORIATTI JUNIOR, LIDERIO CITRANGULO" Limpar

Filtros

Limitar por data

  • 1

1 - 2 (2 registros)

  • Artigo de periodico

    Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle (1997)

    Tsu, Raphael; Babic, Davorin; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: DIELÉTRICOS

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TSU, Raphael e BABIC, Davorin e IORIATTI JÚNIOR, Lidério Citrângulo. Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 3, p. 1327-1329, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.365762. Acesso em: 09 nov. 2025.

    • APA

      Tsu, R., Babic, D., & Ioriatti Júnior, L. C. (1997). Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle. Journal of Applied Physics, 82( 3), 1327-1329. doi:10.1063/1.365762

    • NLM

      Tsu R, Babic D, Ioriatti Júnior LC. Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 3): 1327-1329.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.365762

    • Vancouver

      Tsu R, Babic D, Ioriatti Júnior LC. Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 3): 1327-1329.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.365762

  • Artigo de periodico

    Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers (1991)

    Egues, José Carlos ; Barbosa, J C; Notari, A C; Basmaji, Pierre; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Ranz, E; Portal, J C

    Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      EGUES, José Carlos et al. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, v. 70, n. 7 , p. 3678-80, 1991Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2025.

    • APA

      Egues, J. C., Barbosa, J. C., Notari, A. C., Basmaji, P., Ioriatti Júnior, L. C., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics, 70( 7 ), 3678-80.

    • NLM

      Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2025 nov. 09 ]

    • Vancouver

      Egues JC, Barbosa JC, Notari AC, Basmaji P, Ioriatti Júnior LC, Ranz E, Portal JC. Electronic transport in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' layers. Journal of Applied Physics. 1991 ;70( 7 ): 3678-80.[citado 2025 nov. 09 ]
  • 1

1 - 2 (2 registros)

Biblioteca Digital de Produção Intelectual da Universidade de São Paulo     2012 - 2025