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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Artigo de periodico
Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices (2014)
Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: POLARIZAÇÃO, ABSORÇÃO DA LUZ, FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
FARIA JUNIOR, P. E. e CAMPOS, T. e SIPAHI, Guilherme Matos. Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 19, p. 193501-1-193501-8, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4901209. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2014). Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices. Journal of Applied Physics, 116( 19), 193501-1-193501-8. doi:10.1063/1.4901209
NLM
Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 116( 19): 193501-1-193501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4901209
Vancouver
Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 116( 19): 193501-1-193501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4901209
Artigo de periodico
Band structure calculations of 'IN'P wurtzite/zinc-blende quantum wells (2012)
Faria Junior, P. E.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, LUMINESCÊNCIA, BLENDAS, ZINCO
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ABNT
FARIA JUNIOR, P. E. e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure calculations of 'IN'P wurtzite/zinc-blende quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 112, n. 10, p. 103716-1-103716-10, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4767511. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Faria Junior, P. E., & Sipahi, G. M. (2012). Band structure calculations of 'IN'P wurtzite/zinc-blende quantum wells. Journal of Applied Physics, 112( 10), 103716-1-103716-10. doi:10.1063/1.4767511
NLM
Faria Junior PE, Sipahi GM. Band structure calculations of 'IN'P wurtzite/zinc-blende quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 10): 103716-1-103716-10.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4767511
Vancouver
Faria Junior PE, Sipahi GM. Band structure calculations of 'IN'P wurtzite/zinc-blende quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 112( 10): 103716-1-103716-10.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4767511
Artigo de periodico
White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase (2007)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: EMISSÃO DA LUZ, ESPECTROS, LUMINESCÊNCIA, ABSORÇÃO
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 113706-1-113706-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2737968. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. da. (2007). White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 113706-1-113706-6. doi:10.1063/1.2737968
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF da. White ligth emission from 'rô'-doped quartenary (AlInGa)N-based superlattices: theoretical calculations for the cubic phase [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 113706-1-113706-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2737968

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