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Artigo de periodico
Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films (2000)
Zanatta, Antonio Ricardo ; Hammer, P.; Alvarez, F.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e HAMMER, P. e ALVAREZ, F. Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films. Applied Physics Letters, v. 76, n. 16, p. 2211-2213, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.126299. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Zanatta, A. R., Hammer, P., & Alvarez, F. (2000). Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films. Applied Physics Letters, 76( 16), 2211-2213. doi:10.1063/1.126299
NLM
Zanatta AR, Hammer P, Alvarez F. Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 16): 2211-2213.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126299
Vancouver
Zanatta AR, Hammer P, Alvarez F. Photoelectron spectroscopic study of amoprhous GaAsN films [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 16): 2211-2213.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126299
Artigo de periodico
Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal (2000)
Lanfredi, Silvania; Carvalho, Jesiel Freitas; Hernandes, Antônio Carlos
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Assunto: DIELÉTRICOS
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ABNT
LANFREDI, Silvania e CARVALHO, Jesiel Freitas e HERNANDES, Antônio Carlos. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters, v. 77, n. 26, p. 4371-4373, 2000Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lanfredi, S., Carvalho, J. F., & Hernandes, A. C. (2000). Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters, 77( 26), 4371-4373.
NLM
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 26): 4371-4373.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 26): 4371-4373.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924
Artigo de periodico
Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon films from transmittance data (2000)
Mulato, Marcelo; Chambouleyron, Ivan Emílio; Birgin, Ernesto Julian Goldberg ; Martínez, José Mário
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IME
Assuntos: FÍSICA, ÓPTICA
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ABNT
MULATO, Marcelo et al. Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon films from transmittance data. Applied Physics Letters, v. 77, n. 14, p. 2133-2135, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1314299. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mulato, M., Chambouleyron, I. E., Birgin, E. J. G., & Martínez, J. M. (2000). Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon films from transmittance data. Applied Physics Letters, 77( 14), 2133-2135. doi:10.1063/1.1314299
NLM
Mulato M, Chambouleyron IE, Birgin EJG, Martínez JM. Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon films from transmittance data [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 14): 2133-2135.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1314299
Vancouver
Mulato M, Chambouleyron IE, Birgin EJG, Martínez JM. Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon films from transmittance data [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 14): 2133-2135.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1314299
Artigo de periodico
Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, v. 76, n. 25, p. 3735-3737, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.126766. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, 76( 25), 3735-3737. doi:10.1063/1.126766
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766

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