Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal (2000)
- Authors:
- Autor USP: HERNANDES, ANTONIO CARLOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: DIELÉTRICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 2000
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 77, n.26, p. 4371-4373, 2000
-
ABNT
LANFREDI, Silvania e CARVALHO, Jesiel Freitas e HERNANDES, Antônio Carlos. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters, v. 77, n. 26, p. 4371-4373, 2000Tradução . . Acesso em: 26 dez. 2025. -
APA
Lanfredi, S., Carvalho, J. F., & Hernandes, A. C. (2000). Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters, 77( 26), 4371-4373. -
NLM
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 26): 4371-4373.[citado 2025 dez. 26 ] -
Vancouver
Lanfredi S, Carvalho JF, Hernandes AC. Temperature and partial oxygen pressure role on the electrical conductivity of 'Bi IND.12''Ti IND.0.7''Ga IND.0.3''O IND.20' single crystal. Applied Physics Letters. 2000 ; 77( 26): 4371-4373.[citado 2025 dez. 26 ] - Estudo in situ do perfil de concentração do soluto durante o processo de crescimento e dissolução de monocristal de 'ALFA'-'HG''I IND.2'
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