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  • Artigo de periodico

    Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)

    Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802

    • NLM

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802

    • Vancouver

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802

  • Artigo de periodico

    Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787

  • Artigo de periodico

    Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers (2004)

    Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IFSC, IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      SIPAHI, Guilherme Matos et al. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, v. 85, n. 25, p. 6209-6211, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1840121. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Lima, I. C. da C. (2004). Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, 85( 25), 6209-6211. doi:10.1063/1.1840121

    • NLM

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121

    • Vancouver

      Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121

  • Artigo de periodico

    Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" (2004)

    Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lino, A T; Freire, V N; Farias, G A; Silva, Junior, E F da

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      GARCIA, Joelson Cott et al. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, v. 85, n. 21, p. 5022-5024, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva, J. (2004). Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2". Applied Physics Letters, 85( 21), 5022-5024. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

    • NLM

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Garcia JC, Scolfaro LMR, Leite JR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva J. Effective masses and complex dielectric function of cubic "HfO IND.2" [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 21): 5022-5024.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000085000021005022000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

  • Artigo de periodico

    Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, M et al. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, n. 5, p. 890-892, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2003). Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, 83( 5), 890-892. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)

    Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)

    Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270

    • NLM

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

    • Vancouver

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

  • Artigo de periodico

    Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)

    Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924

    • NLM

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

  • Artigo de periodico

    Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)

    Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072

    • NLM

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072

    • Vancouver

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
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