Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco 
; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 04 nov. 2025.APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
