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  • Artigo de periodico

    InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

  • Artigo de periodico

    Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy (2002)

    Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINI, S et al. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 81, n. 15, p. 2863-2865, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1513182. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2002). Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, 81( 15), 2863-2865. doi:10.1063/1.1513182

    • NLM

      Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182

    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 15): 2863-2865.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1513182
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