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  • Artigo de periodico

    High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry (2004)

    Oliveira, S. L.; Lima, S. M.; Catunda, Tomaz ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Rohling, J. H.; Bento, A. C.; Baesso, Mauro Luciano

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Assuntos: ESPECTROMETRIA, LASER, ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, S. L. et al. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry. Applied Physics Letters, v. 84, n. Ja 2004, p. 359-361, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1640782. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Oliveira, S. L., Lima, S. M., Catunda, T., Nunes, L. A. de O., Rohling, J. H., Bento, A. C., & Baesso, M. L. (2004). High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry. Applied Physics Letters, 84( Ja 2004), 359-361. doi:10.1063/1.1640782

    • NLM

      Oliveira SL, Lima SM, Catunda T, Nunes LA de O, Rohling JH, Bento AC, Baesso ML. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 84( Ja 2004): 359-361.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1640782

    • Vancouver

      Oliveira SL, Lima SM, Catunda T, Nunes LA de O, Rohling JH, Bento AC, Baesso ML. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 84( Ja 2004): 359-361.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1640782

  • Artigo de periodico

    Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)

    Orellana, W; Ferraz, A. C.

    Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524

    • NLM

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

    • Vancouver

      Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
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