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USP affiliated authors
- catunda, tomaz (~1)
- ferraz, armando corbani (~1)
- nunes, luiz antonio de oliveira (~1)
Date published
- 2004 (~1)
- 2001 (~1)
Subjects
- estado sólido (2)
- espectrometria (1)
- estrutura eletrônica (1)
- física da matéria condensada (1)
- física do estado sólido (1)

Artigo de periodico
High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry (2004)
Oliveira, S. L.; Lima, S. M.; Catunda, Tomaz ; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Rohling, J. H.; Bento, A. C.; Baesso, Mauro Luciano
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROMETRIA, LASER, ESTADO SÓLIDO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, S. L. et al. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry. Applied Physics Letters, v. 84, n. Ja 2004, p. 359-361, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1640782. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Oliveira, S. L., Lima, S. M., Catunda, T., Nunes, L. A. de O., Rohling, J. H., Bento, A. C., & Baesso, M. L. (2004). High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry. Applied Physics Letters, 84( Ja 2004), 359-361. doi:10.1063/1.1640782
NLM
Oliveira SL, Lima SM, Catunda T, Nunes LA de O, Rohling JH, Bento AC, Baesso ML. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 84( Ja 2004): 359-361.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1640782
Vancouver
Oliveira SL, Lima SM, Catunda T, Nunes LA de O, Rohling JH, Bento AC, Baesso ML. High fluorescence quantum efficiency of 1.8 'mü'm emission in Tm-doped low silica calcium aluminate glass determined by thermal lens spectrometry [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 84( Ja 2004): 359-361.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1640782
Artigo de periodico
Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

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