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  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113.
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 nov. 13 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      MOTA, Ronaldo e PIQUINI, Paulo Cesar e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Mota, R., Piquini, P. C., & Fazzio, A. (1997). Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Mota R, Piquini PC, Fazzio A. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Mota R, Piquini PC, Fazzio A. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 13 nov. 2024. , 1997
    • APA

      Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 nov. 13 ]
  • Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. In Proceedings. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
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    • ABNT

      JANOTTI, Anderson et al. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076.
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 nov. 13 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PIQUINI, P et al. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, v. 56, n. 7, p. 3556-3559, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Piquini, P., Mota, R., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1997). Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, 56( 7), 3556-3559. doi:10.1103/physrevb.56.3556
    • NLM

      Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556
    • Vancouver

      Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556

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