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Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices (2005)
Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Camps, I.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.; Makler, Susana S.
Source: Physical Review B. Unidade: FZEA
Subjects: FÍSICA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERCIK, Andrés et al. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, v. 71, n. 7, p. 075310/1-075310/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Camps, I., Marques, G. E., Brasil, M. J. S. P., & Makler, S. S. (2005). Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, 71( 7), 075310/1-075310/6. doi:10.1103/physrevb.71.075310
NLM
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Vancouver
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Artigo de periodico
The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes (2005)
Camps, I.; Makler, S. S.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.
Source: Solid State Communications. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 241-246, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026. Acesso em: 18 set. 2024.
APA
Camps, I., Makler, S. S., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Marques, G. E., & Brasil, M. J. S. P. (2005). The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, 135( 4), 241-246. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.026
NLM
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Vancouver
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2024 set. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026

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