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Trabalho de evento-resumo
K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations (2013)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2013). K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
NLM
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Vancouver
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Trabalho de evento-resumo
Simulação de uma estrutura core-shell de 'AL'AS'/'GA''AS' (2012)
Campos, Tiago de; Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
CAMPOS, Tiago de e FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Simulação de uma estrutura core-shell de 'AL'AS'/'GA''AS'. 2012, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2012. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Campos, T. de, Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2012). Simulação de uma estrutura core-shell de 'AL'AS'/'GA''AS'. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Campos T de, Faria Junior PE de, Sipahi GM. Simulação de uma estrutura core-shell de 'AL'AS'/'GA''AS'. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Campos T de, Faria Junior PE de, Sipahi GM. Simulação de uma estrutura core-shell de 'AL'AS'/'GA''AS'. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin-órbita em semicondutores wurtzita: uma análise da banda de condução (2012)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Caderno de Resumos. Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SPIN, CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
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ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Spin-órbita em semicondutores wurtzita: uma análise da banda de condução. 2012, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2012. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2012). Spin-órbita em semicondutores wurtzita: uma análise da banda de condução. In Caderno de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Spin-órbita em semicondutores wurtzita: uma análise da banda de condução. Caderno de Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Spin-órbita em semicondutores wurtzita: uma análise da banda de condução. Caderno de Resumos. 2012 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic band structure of polytypical nanowhiskers (2012)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Physics Procedia. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Electronic band structure of polytypical nanowhiskers. Physics Procedia. Amsterdam: Elsevier BV. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.674. Acesso em: 05 nov. 2024. , 2012
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2012). Electronic band structure of polytypical nanowhiskers. Physics Procedia. Amsterdam: Elsevier BV. doi:10.1016/j.phpro.2012.03.674
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Electronic band structure of polytypical nanowhiskers [Internet]. Physics Procedia. 2012 ; 28 72-78.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.674
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Electronic band structure of polytypical nanowhiskers [Internet]. Physics Procedia. 2012 ; 28 72-78.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.phpro.2012.03.674
Trabalho de evento-resumo
GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita (2011)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Caderno de Resumos. Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2011). GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. In Caderno de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. GaAs'delta'-doped: comparação entre as estruturas da banda de valência das fases zincblend e wurtzita. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of strain effects in polytypic nanowhiskers (2011)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: TENSÃO ESTRUTURAL (ESTUDO), CRESCIMENTO DE CRISTAIS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Theoretical study of strain effects in polytypic nanowhiskers. 2011, Anais.. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF, 2011. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2011). Theoretical study of strain effects in polytypic nanowhiskers. In Abstracts. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF.
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Theoretical study of strain effects in polytypic nanowhiskers. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Theoretical study of strain effects in polytypic nanowhiskers. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de sistemas politípicos (2010)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: ESTRUTURA DA MATÉRIA (FÍSICA MODERNA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS (ANÁLISE), SEMICONDUTORES
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ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Estrutura eletrônica de sistemas politípicos. 2010, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2010. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2010). Estrutura eletrônica de sistemas politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Estrutura eletrônica de sistemas politípicos. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Estrutura eletrônica de sistemas politípicos. Livro de Resumos. 2010 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de nanowhiskers: politipismo e método 'VET. k'.'VET. p' (2010)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS (ALTERAÇÃO)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Estrutura eletrônica de nanowhiskers: politipismo e método 'VET. k'.'VET. p'. 2010, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2010. Disponível em: http://www.sistemas.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoVisualizarResumo?numeroInscricaoTrabalho=1728&numeroEdicao=18. Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2010). Estrutura eletrônica de nanowhiskers: politipismo e método 'VET. k'.'VET. p'. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de http://www.sistemas.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoVisualizarResumo?numeroInscricaoTrabalho=1728&numeroEdicao=18
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Estrutura eletrônica de nanowhiskers: politipismo e método 'VET. k'.'VET. p' [Internet]. Resumos. 2010 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.sistemas.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoVisualizarResumo?numeroInscricaoTrabalho=1728&numeroEdicao=18
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Estrutura eletrônica de nanowhiskers: politipismo e método 'VET. k'.'VET. p' [Internet]. Resumos. 2010 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.sistemas.usp.br/siicusp/cdOnlineTrabalhoVisualizarResumo?numeroInscricaoTrabalho=1728&numeroEdicao=18
Trabalho de evento-resumo
Método 'VET.k'.'VET.p' para estudo de semicondutores na fase wurtzita (2009)
Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo: Engenharias e Exatas - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA (MODELOS), PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. Método 'VET.k'.'VET.p' para estudo de semicondutores na fase wurtzita. 2009, Anais.. São Paulo: USP, 2009. . Acesso em: 05 nov. 2024.
APA
Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2009). Método 'VET.k'.'VET.p' para estudo de semicondutores na fase wurtzita. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Método 'VET.k'.'VET.p' para estudo de semicondutores na fase wurtzita. Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 05 ]
Vancouver
Faria Junior PE de, Sipahi GM. Método 'VET.k'.'VET.p' para estudo de semicondutores na fase wurtzita. Resumos. 2009 ;[citado 2024 nov. 05 ]

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