K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations (2013)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2013
- Source:
- Título do periódico: Abstract Book
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP
-
ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 13 set. 2024. -
APA
Bastos, C. M. de O., Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2013). K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf -
NLM
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 set. 13 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf -
Vancouver
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 set. 13 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf - Paralelização do cálculo de estrutura de bandas usando o Portland HPF
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