Source: Livro das Comunicacoes. Conference titles: Simposio de Electronica das Telecomunicacoes. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. 1986, Anais.. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe, 1986. . Acesso em: 09 out. 2024.APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. In Livro das Comunicacoes. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe.NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 out. 09 ]Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 out. 09 ]