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  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (2013)

    Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NICOLETTI, Talitha. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/. Acesso em: 26 set. 2024.

    • APA

      Nicoletti, T. (2013). Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/

    • NLM

      Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/

    • Vancouver

      Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/

  • Trabalho de evento

    Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS (2012)

    Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio ; Veloso, A; Jurczak, Malgorzata; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, Sara Dereste dos et al. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf. Acesso em: 26 set. 2024.

    • APA

      Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Aoulaiche, M., Martino, J. A., Veloso, A., Jurczak, M., et al. (2012). Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

    • NLM

      Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

    • Vancouver

      Santos SD dos, Nicoletti T, Aoulaiche M, Martino JA, Veloso A, Jurczak M, Simoen E, Claeys C. Spacer length and tilt implantation influence on scaled UTBOX FD MOSFETS [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/22d2dffe-4364-4c9f-87ae-bbce2402e1e6/3144801.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (2009)

    Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      NICOLETTI, Talitha. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/. Acesso em: 26 set. 2024.

    • APA

      Nicoletti, T. (2009). Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/

    • NLM

      Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/

    • Vancouver

      Nicoletti T. Estudo da resistência série de fonte e dreno de transistores SOI FinFETs de porta tripla e com canal tensionado [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22042010-152153/
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