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  • Relatorio tecnico

    Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)

    Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André

    Unidade: IF

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 09 out. 2024. , 2020

    • APA

      Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf

    • NLM

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf

    • Vancouver

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf

  • Apresentacao sonora/cenica/entrevista

    Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] (2020)

    Abramo, L. Raul ; Nussenzveig, Paulo

    Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA MODERNA, FOTÔNICA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FÍSICA, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      ABRAMO, L. Raul e NUSSENZVEIG, Paulo. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. . São Paulo: USP. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be. Acesso em: 09 out. 2024. , 2020

    • APA

      Abramo, L. R., & Nussenzveig, P. (2020). Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. São Paulo: USP. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be

    • NLM

      Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be

    • Vancouver

      Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be

  • Artigo de periodico

    Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)

    Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • NLM

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • Vancouver

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

  • Artigo de periodico

    Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)

    Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010

    • NLM

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010

    • Vancouver

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sergio, C S; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • NLM

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • Vancouver

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

  • Parte de monografia/livro

    Plasma polymerized ethyl ether for obtaining thin films for sensor development (2003)

    Lima, Roberto da Rocha; Carvalho, Rodrigo Amorim Motta; Silva, Maria Lucia Pereira da; Demarquette, Nicole Raymonde

    Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidades: IF, EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LIMA, Roberto da Rocha et al. Plasma polymerized ethyl ether for obtaining thin films for sensor development. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Lima, R. da R., Carvalho, R. A. M., Silva, M. L. P. da, & Demarquette, N. R. (2003). Plasma polymerized ethyl ether for obtaining thin films for sensor development. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.

    • NLM

      Lima R da R, Carvalho RAM, Silva MLP da, Demarquette NR. Plasma polymerized ethyl ether for obtaining thin films for sensor development. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]

    • Vancouver

      Lima R da R, Carvalho RAM, Silva MLP da, Demarquette NR. Plasma polymerized ethyl ether for obtaining thin films for sensor development. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 out. 09 ]
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