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Relatorio tecnico
Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes (1989)
Mirage, V L M N; Bodinaud, Jean Albert
Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRAGE, V L M N e BODINAUD, Jean Albert. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 13 nov. 2024. , 1989
APA
Mirage, V. L. M. N., & Bodinaud, J. A. (1989). Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Mirage VLMN, Bodinaud JA. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Mirage VLMN, Bodinaud JA. Máscara teste da tecnologia bipolar de potência: altas correntes. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Npn and lateral pnp transistor model parameters correlation for linear process (1987)
Bodinaud, Jean Albert; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Preprints. Conference titles: International Conference on Control Systems and Computer Science. Unidades: EP, IEE
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Npn and lateral pnp transistor model parameters correlation for linear process. 1987, Anais.. Bucharest: Polytechnic Institute, 1987. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1987). Npn and lateral pnp transistor model parameters correlation for linear process. In Preprints. Bucharest: Polytechnic Institute.
NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Npn and lateral pnp transistor model parameters correlation for linear process. Preprints. 1987 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Npn and lateral pnp transistor model parameters correlation for linear process. Preprints. 1987 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos (1987)
Galup Montoro, C; Bodinaud, Jean Albert
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
GALUP MONTORO, C e BODINAUD, Jean Albert. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Galup Montoro, C., & Bodinaud, J. A. (1987). Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Casador de impedancia para microfone de eletreto (1986)
Gimenez, Salvador Pinillos ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Bodinaud, Jean Albert; Montoro, Carlos Galup
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
GIMENEZ, Salvador Pinillos et al. Casador de impedancia para microfone de eletreto. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Gimenez, S. P., Ramírez Fernandez, F. J., Bodinaud, J. A., & Montoro, C. G. (1986). Casador de impedancia para microfone de eletreto. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Gimenez SP, Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA, Montoro CG. Casador de impedancia para microfone de eletreto. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Gimenez SP, Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA, Montoro CG. Casador de impedancia para microfone de eletreto. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos (1986)
Bodinaud, Jean Albert; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Modelo fisico dos fenomenos de avalanche do transistor bipolar para simulacao de circuitos. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Projeto de um jfet para microfone de eletreto (1986)
Galup Montoro, C; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Bodinaud, Jean Albert
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e BODINAUD, Jean Albert. Projeto de um jfet para microfone de eletreto. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Galup Montoro, C., Ramírez Fernandez, F. J., & Bodinaud, J. A. (1986). Projeto de um jfet para microfone de eletreto. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Galup Montoro C, Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA. Projeto de um jfet para microfone de eletreto. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Ramírez Fernandez FJ, Bodinaud JA. Projeto de um jfet para microfone de eletreto. Anais. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos (1986)
Bodinaud, Jean Albert; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Livro das Comunicacoes. Conference titles: Simposio de Electronica das Telecomunicacoes. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BODINAUD, Jean Albert e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. 1986, Anais.. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe, 1986. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Bodinaud, J. A., & Ramírez Fernandez, F. J. (1986). Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. In Livro das Comunicacoes. Lisboa: Ieee/Ceautl/Oe.
NLM
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Bodinaud JA, Ramírez Fernandez FJ. Correlacao dos parametros do modelo de transistor bipolar para simulacao estatica de circuitos. Livro das Comunicacoes. 1986 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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