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  • Artigo de periodico

    Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)

    Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • NLM

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

    • Vancouver

      Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003

  • Artigo de periodico

    Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)

    Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010

    • NLM

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010

    • Vancouver

      Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sergio, C S; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • NLM

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • Vancouver

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
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