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Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.; Minondo, M.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Trabalho de evento
Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) (1990)
Arakaki, Haroldo; Silva, R. V.; Siu Li, Máximo ; Roda, Valentin Obac
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidades: IFQSC, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ARAKAKI, Haroldo et al. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Arakaki, H., Silva, R. V., Siu Li, M., & Roda, V. O. (1990). Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
NLM
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
Vancouver
Arakaki H, Silva RV, Siu Li M, Roda VO. Desenvolvimento de um sistema de automação para MBE (epitaxia por feixe molecular) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a9a1da32-28b7-477e-980f-43cf21057181/PROD001537_2292938.pdf
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Trabalho de evento
Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' (1989)
Minami, E.; Migliato, J.; Notari, A.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MINAMI, E. et al. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1989). Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS'. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS' 'GA''AS':'SI' e 'AL IND.x''GA IND.1-x''AS' [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/adba3776-bc45-4f36-9642-3ee62d0707ac/PROD001031_2288444.pdf
Trabalho de evento
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1989)
Manzoli, J. E.; Scrappe, B. J.; Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J. E. et al. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Manzoli, J. E., Scrappe, B. J., Notari, A. C., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1989). Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
NLM
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
Vancouver
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf

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