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Trabalho de evento-resumo
DFT and GW calculations of the electronic structure for thiophenes on 'TI''O IND. 2' (2010)
Alves-Santos, Marcelo; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: RESUMO. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ALVES-SANTOS, Marcelo e CALDAS, Marilia Junqueira. DFT and GW calculations of the electronic structure for thiophenes on 'TI''O IND. 2'. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/A1058.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Alves-Santos, M., & Caldas, M. J. (2010). DFT and GW calculations of the electronic structure for thiophenes on 'TI''O IND. 2'. In RESUMO. São Paulo: SBF. Recuperado de http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/A1058.pdf
NLM
Alves-Santos M, Caldas MJ. DFT and GW calculations of the electronic structure for thiophenes on 'TI''O IND. 2' [Internet]. RESUMO. 2010 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/A1058.pdf
Vancouver
Alves-Santos M, Caldas MJ. DFT and GW calculations of the electronic structure for thiophenes on 'TI''O IND. 2' [Internet]. RESUMO. 2010 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/A1058.pdf
Trabalho de evento-resumo
Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K
Fonte: Programa e Libro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions (2003)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Ribeiro, M; Leite, J. R.; Tabata, A; Freitas Junior, J A
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Ribeiro, M., Leite, J. R., Tabata, A., & Freitas Junior, J. A. (2003). Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Ribeiro M, Leite JR, Tabata A, Freitas Junior JA. Influence of plasma etching and thermal annealing conditions on the electroluminescence of GaN pn junctions. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]

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