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Trabalho de evento-resumo
Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio (2002)
Javier, Luís Alberto Terrazos; Petrilli, Helena Maria; Marszalek, M; Saitovitch, H; Silva, P R J; Blaha, P; Schwarz, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: DINÂMICA DAS ESTRUTURAS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JAVIER, Luís Alberto Terrazos et al. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Javier, L. A. T., Petrilli, H. M., Marszalek, M., Saitovitch, H., Silva, P. R. J., Blaha, P., & Schwarz, K. (2002). Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Javier LAT, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
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Javier LAT, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
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Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica (2002)
Borin, Antonio Carlos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IQ
Subjects: ESPECTROSCOPIA ELETRÔNICA, MOLÉCULA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BORIN, Antonio Carlos. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. 2002, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Borin, A. C. (2002). Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Borin AC. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
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Borin AC. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study (2002)
Klatau, Eliza Burlamaqui; Frota-Pessoa, Sônia
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
KLATAU, Eliza Burlamaqui e FROTA-PESSOA, Sônia. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study. Surface Science, v. 497, n. 1-3, p. 385-397, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Klatau, E. B., & Frota-Pessoa, S. (2002). Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study. Surface Science, 497( 1-3), 385-397. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
NLM
Klatau EB, Frota-Pessoa S. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study [Internet]. Surface Science. 2002 ; 497( 1-3): 385-397.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Vancouver
Klatau EB, Frota-Pessoa S. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study [Internet]. Surface Science. 2002 ; 497( 1-3): 385-397.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Artigo de periodico
Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds (2002)
Terrazos, L. A.; Petrilli, Helena Maria; Marszalek, M.; Saitovitch, H.; Silva, P. R. J.; Blaha, P.; Schwarz, K.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: INTERAÇÕES NUCLEARES, ÍONS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TERRAZOS, L. A. et al. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, v. 121, n. 9-10, p. 525-529, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Terrazos, L. A., Petrilli, H. M., Marszalek, M., Saitovitch, H., Silva, P. R. J., Blaha, P., & Schwarz, K. (2002). Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, 121( 9-10), 525-529. doi:10.1016/s0038-1098(01)00515-4
NLM
Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4
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Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4
Artigo de periodico
Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV (2002)
Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Bussi, Giovanni; Molinari, Elisa
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RUINI, Alice et al. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV. Physical Review Letters, v. 88, n. 20, p. 206403/1-206403/7, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ruini, A., Caldas, M. J., Bussi, G., & Molinari, E. (2002). Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV. Physical Review Letters, 88( 20), 206403/1-206403/7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
NLM
Ruini A, Caldas MJ, Bussi G, Molinari E. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 88( 20): 206403/1-206403/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
Vancouver
Ruini A, Caldas MJ, Bussi G, Molinari E. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 88( 20): 206403/1-206403/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors (2002)
Ayres, F; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
AYRES, F e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., & Assali, L. V. C. (2002). Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
Ferraz, A. C.; Miotto, R.
Source: Vacuum. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, VÁCUO
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos (2002)
Freire, Henrique Jota de Paula; Egues, José Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Workshop dos Alunos de Pós-Graduação do IFSC. Unidade: IFSC
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
FREIRE, Henrique Jota de Paula e EGUES, José Carlos. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. 2002, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Freire, H. J. de P., & Egues, J. C. (2002). Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. In Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Freire HJ de P, Egues JC. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Freire HJ de P, Egues JC. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni (2002)
Mamani, Rolando Larico; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMANI, Rolando Larico e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L., & Assali, L. V. C. (2002). Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mamani RL, Assali LVC. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Mamani RL, Assali LVC. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Acetylene adsorption on the Si(001) surface (2002)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75401/1-75401/11, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2002). Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, 65( 7), 75401/1-75401/11. doi:10.1103/physrevb.65.075401
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Artigo de periodico
Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Kycia, Stefan
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e KYCIA, Stefan. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, v. 89, n. 1, p. 15501/1-15501/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Morelhão, S. L., & Kycia, S. (2002). Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, 89( 1), 15501/1-15501/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
NLM
Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
Vancouver
Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation (2002)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 5892-5895, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation. Journal of Applied Physics, 91( 9), 5892-5895. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Interaction of As impurities with 30'GRAUS' partial dislocations in Si: an ab initio investigation [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 5892-5895.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009005892000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV (2002)
Toledo, Rewel M de; Capaz, rodrigo B; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DO ESTADO LÍQUIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rewel M de e CAPAZ, rodrigo B e CALDAS, Marilia Junqueira. Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Toledo, R. M. de, Capaz, rodrigo B., & Caldas, M. J. (2002). Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Toledo RM de, Capaz rodrigo B, Caldas MJ. Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Toledo RM de, Capaz rodrigo B, Caldas MJ. Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculos de estrutura eletrônica no estudo de reações unimoleculares (2002)
Gesteira, Luiz Augusto; Linnert, Harrald Victor
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IQ
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICO-QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GESTEIRA, Luiz Augusto e LINNERT, Harrald Victor. Cálculos de estrutura eletrônica no estudo de reações unimoleculares. 2002, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gesteira, L. A., & Linnert, H. V. (2002). Cálculos de estrutura eletrônica no estudo de reações unimoleculares. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Gesteira LA, Linnert HV. Cálculos de estrutura eletrônica no estudo de reações unimoleculares. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gesteira LA, Linnert HV. Cálculos de estrutura eletrônica no estudo de reações unimoleculares. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys (2002)
Santos, A M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Noriega, O C; Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, A M et al. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, v. 232, n. 1, p. 182-187, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, A. M., Silva, E. C. F. da, Noriega, O. C., Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2002). Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, 232( 1), 182-187. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H (2002)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, v. 65, n. 10, p. 104108/1-104108/5. 2002, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H. Physical Review B, 65( 10), 104108/1-104108/5. 2002. doi:10.1103/PhysRevB.65.104108
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural order and clustering in annealed 'alfa'-SiC and 'alfa'-SiC:H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 10): 104108/1-104108/5. 2002.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.65.104108
Artigo de periodico
Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level (2002)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, v. 65, n. 20, p. 205316/1-205316/9, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2002). Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, 65( 20), 205316/1-205316/9. doi:10.1103/physrevb.65.205316
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316

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