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Tese (Doutorado)
Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' (1999)
Miotto, R.; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI'. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Miotto, R. (1999). Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
NLM
Miotto R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
Vancouver
Miotto R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
Tese (Doutorado)
Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício (1999)
Casagrande, Douglas; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
CASAGRANDE, Douglas. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Casagrande, D. (1999). Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
NLM
Casagrande D. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
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Casagrande D. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
Dissertação (Mestrado)
Investigação do gradiente de campo elétrico nas ligas `MB IND. 3´M(M=Al, In, Si, Ge, Sn) e ´T ANTIND.3 AL´(T=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta) pela técnica de correlação angular ´gama´-´gama´ perturbada (1999)
Junqueira, Astrogildo de Carvalho; Carbonari, Artur Wilson (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: MATERIAIS METÁLICOS, LIGAS METÁLICAS, NIÓBIO, ALUMÍNIO, NÚCLEOS, HÁFNIO, REAÇÕES NUCLEARES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUNQUEIRA, Astrogildo de Carvalho. Investigação do gradiente de campo elétrico nas ligas `MB IND. 3´M(M=Al, In, Si, Ge, Sn) e ´T ANTIND.3 AL´(T=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta) pela técnica de correlação angular ´gama´-´gama´ perturbada. 1999. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Junqueira, A. de C. (1999). Investigação do gradiente de campo elétrico nas ligas `MB IND. 3´M(M=Al, In, Si, Ge, Sn) e ´T ANTIND.3 AL´(T=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta) pela técnica de correlação angular ´gama´-´gama´ perturbada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Junqueira A de C. Investigação do gradiente de campo elétrico nas ligas `MB IND. 3´M(M=Al, In, Si, Ge, Sn) e ´T ANTIND.3 AL´(T=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta) pela técnica de correlação angular ´gama´-´gama´ perturbada. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ]
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Junqueira A de C. Investigação do gradiente de campo elétrico nas ligas `MB IND. 3´M(M=Al, In, Si, Ge, Sn) e ´T ANTIND.3 AL´(T=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta) pela técnica de correlação angular ´gama´-´gama´ perturbada. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ]
Tese (Doutorado)
Propriedades magnéticas locais de grãos de 'CO' em 'CU' e 'AG' (1999)
Nogueira, Renata Nascimento; Petrilli, Helena Maria (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NOGUEIRA, Renata Nascimento. Propriedades magnéticas locais de grãos de 'CO' em 'CU' e 'AG'. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11092012-143911/. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Nogueira, R. N. (1999). Propriedades magnéticas locais de grãos de 'CO' em 'CU' e 'AG' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11092012-143911/
NLM
Nogueira RN. Propriedades magnéticas locais de grãos de 'CO' em 'CU' e 'AG' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11092012-143911/
Vancouver
Nogueira RN. Propriedades magnéticas locais de grãos de 'CO' em 'CU' e 'AG' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11092012-143911/
Tese (Livre Docência)
Propriedades físicas de impurezas profundas em silício (1999)
Assali, Lucy Vitoria Credidio
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício. 1999. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C. (1999). Propriedades físicas de impurezas profundas em silício (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/
NLM
Assali LVC. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/
Vancouver
Assali LVC. Propriedades físicas de impurezas profundas em silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/livredocencia/43/tde-28082015-092722/

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