Assuntos: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
ABNT
FRANÇA, Ecio Jose. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/. Acesso em: 04 nov. 2025.APA
França, E. J. (1996). Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/NLM
França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/Vancouver
França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
                    
                    