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Artigo de periodico
Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors (1988)
Chacham, H; Alves, J L A; Siqueira, M L; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CHACHAM, H et al. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 49, n. 8 , p. 969-73, 1988Tradução . . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Chacham, H., Alves, J. L. A., Siqueira, M. L., & Leite, J. R. (1988). Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 49( 8 ), 969-73.
NLM
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2025 nov. 05 ]
Tese (Doutorado)
Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas (1988)
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R. (1988). Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Scolfaro LMR. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Scolfaro LMR. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (1988)
Takahashi, Eduardo Kojy; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, Eduardo Kojy. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K. (1988). Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Dissertação (Mestrado)
Pares de impurezas calcogenicas em silicio (1988)
Paula Junior, Helio Ferreira de; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULA JUNIOR, Helio Ferreira de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Paula Junior, H. F. de. (1988). Pares de impurezas calcogenicas em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paula Junior HF de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Paula Junior HF de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988 ;[citado 2025 nov. 05 ]

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