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Tese (Doutorado)
Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas (1988)
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R. (1988). Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Scolfaro LMR. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Scolfaro LMR. Impurezas intersticiais de metais de transição em gaas. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Gomes, V M S
Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (1988)
Takahashi, Eduardo Kojy; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, Eduardo Kojy. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K. (1988). Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Pares de impurezas calcogenicas em silicio (1988)
Paula Junior, Helio Ferreira de; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULA JUNIOR, Helio Ferreira de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paula Junior, H. F. de. (1988). Pares de impurezas calcogenicas em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Paula Junior HF de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Paula Junior HF de. Pares de impurezas calcogenicas em silicio. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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