Filtros : "ESTRUTURA ELETRÔNICA" "1985" Removido: "ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO" Limpar

Filtros



Refine with date range


  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Doadores calcogeneos em silicio. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Scolfaro, L. M. R. (1985). Doadores calcogeneos em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Scolfaro LMR. Doadores calcogeneos em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Scolfaro LMR. Doadores calcogeneos em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MACHADO, Wanda Valle Marcondes. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Machado, W. V. M. (1985). Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Machado WVM. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Machado WVM. Método celular variacional para sistemas poliatomicos e sua aplicação em moleculas tetraedricas. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
  • Unidade: IQ

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MACHADO, Francisco Bolivar Correto. Estudos teóricos da molécula ion 'CH MAIS' pelo método interação de configurações e suas propriedades espectroscópicas. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46132/tde-26092019-092926/. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Machado, F. B. C. (1985). Estudos teóricos da molécula ion 'CH MAIS' pelo método interação de configurações e suas propriedades espectroscópicas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46132/tde-26092019-092926/
    • NLM

      Machado FBC. Estudos teóricos da molécula ion 'CH MAIS' pelo método interação de configurações e suas propriedades espectroscópicas [Internet]. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46132/tde-26092019-092926/
    • Vancouver

      Machado FBC. Estudos teóricos da molécula ion 'CH MAIS' pelo método interação de configurações e suas propriedades espectroscópicas [Internet]. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46132/tde-26092019-092926/
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.
    • NLM

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2025 nov. 04 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FAZZIO, Adalberto e CALDAS, Marilia Junqueira e ZUNGER, A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 934-54, 1985Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, 32, 934-54.
    • NLM

      Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2025 nov. 04 ]
  • Source: Journal of Electronic Materials. Serie a. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LEITE, J. R. et al. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, v. 14, p. 885-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418
    • NLM

      Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
    • Vancouver

      Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GOMES, Vivili Maria Silva. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Gomes, V. M. S. (1985). Impurezas de oxigenio em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Gomes VMS. Impurezas de oxigenio em silicio. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
  • Unidades: FFCLRP, IQ

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ROSATO, A et al. Codigo hondo/5 para calculos de estrutura eletronica de moleculas: sua adaptacao ao sistema cyber-170/750 do ieav e manual de utilizacao. . Sao Jose dos Campos: Instituto de Estudos Avancados. . Acesso em: 04 nov. 2025. , 1985
    • APA

      Rosato, A., Silva Pinheiro, A. M. B., Ornellas, F. R., Roberto Neto, O., & Galembeck, S. E. (1985). Codigo hondo/5 para calculos de estrutura eletronica de moleculas: sua adaptacao ao sistema cyber-170/750 do ieav e manual de utilizacao. Sao Jose dos Campos: Instituto de Estudos Avancados.
    • NLM

      Rosato A, Silva Pinheiro AMB, Ornellas FR, Roberto Neto O, Galembeck SE. Codigo hondo/5 para calculos de estrutura eletronica de moleculas: sua adaptacao ao sistema cyber-170/750 do ieav e manual de utilizacao. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Rosato A, Silva Pinheiro AMB, Ornellas FR, Roberto Neto O, Galembeck SE. Codigo hondo/5 para calculos de estrutura eletronica de moleculas: sua adaptacao ao sistema cyber-170/750 do ieav e manual de utilizacao. 1985 ;[citado 2025 nov. 04 ]

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2025