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  • Unidades: IF, EP

    Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      CAROENA, Glaura et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3209v1.pdf
  • Unidades: EP, IF

    Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA (DEFEITO), ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. . São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
    • APA

      Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2013). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
    • NLM

      Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1307.3274v1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, R D e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, v. 75, n. 4, p. 045303/1-045303/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Menezes, R. D., & Assali, L. V. C. (2007). Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter. Physical Review B, 75( 4), 045303/1-045303/5. doi:10.1103/physrevb.75.045303
    • NLM

      Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Menezes RD, Assali LVC. Stability and plasticity of silicon nanowires: the role of wire perimeter [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 4): 045303/1-045303/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.045303
  • Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
    • NLM

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
  • Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
  • Source: Physica B. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
    • NLM

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
  • Source: Physica B. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
    • NLM

      Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
    • Vancouver

      Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
    • NLM

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
    • Vancouver

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
  • Source: Sessions Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat). Unidades: IF, EP

    Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), ESTRUTURA DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e JUSTO FILHO, João Francisco e MENEZES, Rafael Dias. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Menezes, R. D. (2006). Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires. In Sessions Abstracts. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
    • NLM

      Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
    • Vancouver

      Assali LVC, Justo Filho JF, Menezes RD. Thermodinamical properties of Si and SIC nanowires [Internet]. Sessions Abstracts. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterN.pdf
  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
    • NLM

      Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
    • Vancouver

      Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
  • Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
    • NLM

      Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
    • Vancouver

      Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
  • Source: Physical Review B. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Godoi, A. L. de. (2004). Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.155212
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AYRES, F et al. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400042
    • NLM

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
    • Vancouver

      Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF

    Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
    • NLM

      Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
    • Vancouver

      Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
  • Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, R et al. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2004). Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • NLM

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • Vancouver

      Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Nickel complex in diamond: a model for electrically active centers [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
  • Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, BLENDAS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      NUNES, Ricardo W. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e JUSTO FILHO, João Francisco. Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.010. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Nunes, R. W., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.010
    • NLM

      Nunes RW, Assali LVC, Justo Filho JF. Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.010
    • Vancouver

      Nunes RW, Assali LVC, Justo Filho JF. Ab initio investigations on the dislocation core properties in zinc-blende semiconductors [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.010
  • Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP

    Subjects: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LARICO, Rolando et al. Nickel impurities in diamond: a FP-LAPW investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.009. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Larico, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Nickel impurities in diamond: a FP-LAPW investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.009
    • NLM

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel impurities in diamond: a FP-LAPW investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.009
    • Vancouver

      Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel impurities in diamond: a FP-LAPW investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.009
  • Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP

    Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      AYRES, F et al. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • NLM

      Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
    • Vancouver

      Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical investigation on Hg'I IND. 2' and Zn 'I IND. 2' fundamental properties [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
  • Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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