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Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
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Trabalho de evento-resumo
K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations (2013)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. de O., Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2013). K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
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Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
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Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Trabalho de evento-resumo
k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations (2013)
Bastos, C. M. O.; Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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BASTOS, C. M. O. et al. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. O., Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2013). k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. Livro de Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. Livro de Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin segregation in group IV dilluted magnetic heterostructures (2007)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, Sara C P; Silva Junior, Eronides F da; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin segregation in group IV dilluted magnetic heterostructures. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0921-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Silva Junior, E. F. da, & Scolfaro, L. M. R. (2007). Spin segregation in group IV dilluted magnetic heterostructures. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0921-1.pdf
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da, Scolfaro LMR. Spin segregation in group IV dilluted magnetic heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0921-1.pdf
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Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da, Scolfaro LMR. Spin segregation in group IV dilluted magnetic heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0921-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties from nitride semiconductor quantum dots (2006)
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Eurydice, Marcel Nogueira; Marin, Ivan Silvestre Paganini; Santos, Elton Márcio da Silva; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Fonte: Final Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: LASER, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÓPTICA, LUMINESCÊNCIA, ABSORÇÃO, ESPECTROS
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SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro et al. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2006. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Eurydice, M. N., Marin, I. S. P., Santos, E. M. da S., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. da. (2006). Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. In Final Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat.
NLM
Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Eurydice MN, Marin ISP, Santos EM da S, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. Final Program. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Eurydice MN, Marin ISP, Santos EM da S, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. Final Program. 2006 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Assembling a new method to calculate the electronic structure from arbitrary shape quantum dots (2005)
Santos, E. M. S.; d' Eurydice, M. N.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
SANTOS, E. M. S. et al. Assembling a new method to calculate the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. 2005, Anais.. [s.l.]: [s.n.], 2005. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, E. M. S., d' Eurydice, M. N., Rodrigues, S. C. P., & Sipahi, G. M. (2005). Assembling a new method to calculate the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. In Abstracts. [s.l.]: [s.n.].
NLM
Santos EMS, d' Eurydice MN, Rodrigues SCP, Sipahi GM. Assembling a new method to calculate the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. Abstracts. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Santos EMS, d' Eurydice MN, Rodrigues SCP, Sipahi GM. Assembling a new method to calculate the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. Abstracts. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculo autoconsistente de estruturas eletrônicas de baixa dimensão (2005)
Genaro, Fernando Henrique Fornari; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo - SIICUSP : Engenharia e Exatas. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GENARO, Fernando Henrique Fornari e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo autoconsistente de estruturas eletrônicas de baixa dimensão. 2005, Anais.. São Paulo: USP, 2005. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Genaro, F. H. F., & Sipahi, G. M. (2005). Cálculo autoconsistente de estruturas eletrônicas de baixa dimensão. In Resumos. São Paulo: USP.
NLM
Genaro FHF, Sipahi GM. Cálculo autoconsistente de estruturas eletrônicas de baixa dimensão. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Genaro FHF, Sipahi GM. Cálculo autoconsistente de estruturas eletrônicas de baixa dimensão. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Trabalho de evento-resumo
Calculating the electronic structure from arbitrary shape quantum dots (2005)
Santos, E. M. S.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, LASER, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, E. M. S. et al. Calculating the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, E. M. S., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Rodrigues, S. C. P. (2005). Calculating the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos EMS, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP. Calculating the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Santos EMS, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP. Calculating the electronic structure from arbitrary shape quantum dots. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I C C; Sipahi, Guilherme Matos ; Boselli, M A
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers (2004)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, v. 85, n. 25, p. 6209-6211, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1840121. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Lima, I. C. da C. (2004). Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, 85( 25), 6209-6211. doi:10.1063/1.1840121
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

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