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Artigo de periodico
Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons (2009)
Rigo, V A; Martins, T B; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto ; Miwa, R H
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
RIGO, V A et al. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, v. 79, n. 7, p. 075435/1-075435/9, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rigo, V. A., Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2009). Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, 79( 7), 075435/1-075435/9. doi:10.1103/physrevb.79.075435
NLM
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Vancouver
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study (2008)
Miwa, R H; Martins, T B; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: NANOPARTÍCULAS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
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ABNT
MIWA, R H e MARTINS, T B e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. Nanotechnology, v. 19, n. 15, p. 155708/1-155708/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Martins, T. B., & Fazzio, A. (2008). Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. Nanotechnology, 19( 15), 155708/1-155708/7. doi:10.1088/0957-4484/19/15/155708
NLM
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 15): 155708/1-155708/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708
Vancouver
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 15): 155708/1-155708/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708
Relatorio tecnico
Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study (2007)
Miwa, R H; Martins, T B; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e MARTINS, T B e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Miwa, R. H., Martins, T. B., & Fazzio, A. (2007). Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
NLM
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
Artigo de periodico
EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation (2007)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, v. 75, n. 16, p. 165324/1-165324/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, 75( 16), 165324/1-165324/5. doi:10.1103/physrevb.75.165324
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Phisical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205317/1-205317, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, 67( 20), 205317/1-205317. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, v. 91, n. 16, p. 166802/1-166802/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, 91( 16), 166802/1-166802/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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