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Artigo de periodico
Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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