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  • Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      SOUZA, Amaury de Melo et al. Stretching of BDT-gold molecular junctions: thiol or thiolate termination?. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1410.0771v1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025. , 2014
    • APA

      Souza, A. de M., Rungger, I., Sanvito, S., Pontes, R. B., Rocha, A. R., Schwingenschloegl, U., & Silva, A. J. R. da. (2014). Stretching of BDT-gold molecular junctions: thiol or thiolate termination? São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1410.0771v1.pdf
    • NLM

      Souza A de M, Rungger I, Sanvito S, Pontes RB, Rocha AR, Schwingenschloegl U, Silva AJR da. Stretching of BDT-gold molecular junctions: thiol or thiolate termination? [Internet]. 2014 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1410.0771v1.pdf
    • Vancouver

      Souza A de M, Rungger I, Sanvito S, Pontes RB, Rocha AR, Schwingenschloegl U, Silva AJR da. Stretching of BDT-gold molecular junctions: thiol or thiolate termination? [Internet]. 2014 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1410.0771v1.pdf
  • Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      ANJOS, V et al. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2004). Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
    • NLM

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
    • Vancouver

      Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
  • Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IQ

    Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, QUÍMICA TEÓRICA, QUÍMICA ORGÂNICA

    Como citar
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    • ABNT

      HAIDUKE, Roberto Luiz Andrade e OLIVEIRA, Anselmo E. de e BRUNS, Roy Edward. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. 2003, Anais.. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 08 nov. 2025.
    • APA

      Haiduke, R. L. A., Oliveira, A. E. de, & Bruns, R. E. (2003). Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. In Livro de Resumos. Caxambu: Instituto de Química, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]
    • Vancouver

      Haiduke RLA, Oliveira AE de, Bruns RE. Determination of atomic anisotropies from gasphase infrared intensities. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 08 ]

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