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Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Artigo de periodico
Tailoring optical properties and stimulated emission in nanostructured polythiophene (2019)
Portone, Alberto; Ganzer, Lucia; Branchi , Federico; Ramos, Rodrigo; Caldas, Marilia Junqueira ; Pisignano, Dario; Molinari, Elisa; Cerullo, Giulio; Persano, Luana; Prezzi, Deborah; Virgili, Tersilla
Fonte: Scientific Reports. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), SEMICONDUTORES, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
PORTONE, Alberto et al. Tailoring optical properties and stimulated emission in nanostructured polythiophene. Scientific Reports, v. 9, n. 7370, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1038/s41598-019-43719-0. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Portone, A., Ganzer, L., Branchi , F., Ramos, R., Caldas, M. J., Pisignano, D., et al. (2019). Tailoring optical properties and stimulated emission in nanostructured polythiophene. Scientific Reports, 9( 7370). doi:10.1038/s41598-019-43719-0
NLM
Portone A, Ganzer L, Branchi F, Ramos R, Caldas MJ, Pisignano D, Molinari E, Cerullo G, Persano L, Prezzi D, Virgili T. Tailoring optical properties and stimulated emission in nanostructured polythiophene [Internet]. Scientific Reports. 2019 ; 9( 7370):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1038/s41598-019-43719-0
Vancouver
Portone A, Ganzer L, Branchi F, Ramos R, Caldas MJ, Pisignano D, Molinari E, Cerullo G, Persano L, Prezzi D, Virgili T. Tailoring optical properties and stimulated emission in nanostructured polythiophene [Internet]. Scientific Reports. 2019 ; 9( 7370):[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1038/s41598-019-43719-0
Artigo de periodico
Thermally activated delayed fluorescence mediated through the upper triplet state manifold in non-charge-transfer star-shaped triphenylamine–carbazole molecules (2018)
Pander, Piotr; Etherington, Marc K.; Monkman, Andrew P.; Motyka, Radoslaw; Zassowski, Pawel; Varsano, Daniele; Data, Przemyslaw; Silva, Tales José da; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PANDER, Piotr et al. Thermally activated delayed fluorescence mediated through the upper triplet state manifold in non-charge-transfer star-shaped triphenylamine–carbazole molecules. Journal of Physical Chemistry C, v. 122, n. 42, p. 23934-23942, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b07510. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pander, P., Etherington, M. K., Monkman, A. P., Motyka, R., Zassowski, P., Varsano, D., et al. (2018). Thermally activated delayed fluorescence mediated through the upper triplet state manifold in non-charge-transfer star-shaped triphenylamine–carbazole molecules. Journal of Physical Chemistry C, 122( 42), 23934-23942. doi:10.1021/acs.jpcc.8b07510
NLM
Pander P, Etherington MK, Monkman AP, Motyka R, Zassowski P, Varsano D, Data P, Silva TJ da, Caldas MJ. Thermally activated delayed fluorescence mediated through the upper triplet state manifold in non-charge-transfer star-shaped triphenylamine–carbazole molecules [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 42): 23934-23942.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b07510
Vancouver
Pander P, Etherington MK, Monkman AP, Motyka R, Zassowski P, Varsano D, Data P, Silva TJ da, Caldas MJ. Thermally activated delayed fluorescence mediated through the upper triplet state manifold in non-charge-transfer star-shaped triphenylamine–carbazole molecules [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 42): 23934-23942.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b07510
Relatorio tecnico
Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling (2017)
Valencia, A. M.; Caldas, Marilia Junqueira
Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VALENCIA, A. M. e CALDAS, Marilia Junqueira. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1704.01906. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2017
APA
Valencia, A. M., & Caldas, M. J. (2017). Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1704.01906
NLM
Valencia AM, Caldas MJ. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1704.01906
Vancouver
Valencia AM, Caldas MJ. Vacancy in graphene: insight on magnetic properties from theoretical modeling [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1704.01906
Relatorio tecnico
Length dependence of ionization potentials of trans-acetylenes: internally-consistent DFT/GW approach (2015)
Brandt, Fernando Tadeu Caldeira ; Pinheiro Jr., Max; Rinke, Patrick; Blum, Volker; Scheffler, Matthias; Caldas, Marilia Junqueira
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BRANDT, Fernando Tadeu Caldeira et al. Length dependence of ionization potentials of trans-acetylenes: internally-consistent DFT/GW approach. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1503.03704v2.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2015
APA
Brandt, F. T. C., Pinheiro Jr., M., Rinke, P., Blum, V., Scheffler, M., & Caldas, M. J. (2015). Length dependence of ionization potentials of trans-acetylenes: internally-consistent DFT/GW approach. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1503.03704v2.pdf
NLM
Brandt FTC, Pinheiro Jr. M, Rinke P, Blum V, Scheffler M, Caldas MJ. Length dependence of ionization potentials of trans-acetylenes: internally-consistent DFT/GW approach [Internet]. 2015 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1503.03704v2.pdf
Vancouver
Brandt FTC, Pinheiro Jr. M, Rinke P, Blum V, Scheffler M, Caldas MJ. Length dependence of ionization potentials of trans-acetylenes: internally-consistent DFT/GW approach [Internet]. 2015 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1503.03704v2.pdf
Trabalho de evento-resumo
8 times 8 Kane model for the electronic structure of wurtzites (2013)
Pires, Diego Paiva; Bernardes, Esmerindo de Sousa
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PIRES, Diego Paiva e BERNARDES, Esmerindo de Sousa. 8 times 8 Kane model for the electronic structure of wurtzites. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pires, D. P., & Bernardes, E. de S. (2013). 8 times 8 Kane model for the electronic structure of wurtzites. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
NLM
Pires DP, Bernardes E de S. 8 times 8 Kane model for the electronic structure of wurtzites [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Vancouver
Pires DP, Bernardes E de S. 8 times 8 Kane model for the electronic structure of wurtzites [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Trabalho de evento-resumo
K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations (2013)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Faria Junior, Paulo Eduardo de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Abstract Book. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e FARIA JUNIOR, Paulo Eduardo de e SIPAHI, Guilherme Matos. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. de O., Faria Junior, P. E. de, & Sipahi, G. M. (2013). K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
NLM
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Vancouver
Bastos CM de O, Faria Junior PE de, Sipahi GM. K.p parameters of III-V wurtzite semiconductors from first-principles calculations [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Trabalho de evento-resumo
k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations (2013)
Bastos, C. M. O.; Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. 2013, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. O., Faria Junior, P. E., Campos, T., & Sipahi, G. M. (2013). k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. Livro de Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bastos CMO, Faria Junior PE, Campos T, Sipahi GM. k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations. Livro de Resumos. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Classical magnetoresistance of a ballistic electron gas constrained to non-planar topographies in a lattice of antidots under tilted magnetic field (2012)
Sotomayor, N M; Cabral, L A; Davila, L Y A; Gusev, Guennadii Michailovich
Fonte: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF
Assuntos: CAMPO MAGNÉTICO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOTOMAYOR, N M et al. Classical magnetoresistance of a ballistic electron gas constrained to non-planar topographies in a lattice of antidots under tilted magnetic field. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, v. 45, p. 135-145, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2012.07.018. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sotomayor, N. M., Cabral, L. A., Davila, L. Y. A., & Gusev, G. M. (2012). Classical magnetoresistance of a ballistic electron gas constrained to non-planar topographies in a lattice of antidots under tilted magnetic field. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 45, 135-145. doi:10.1016/j.physe.2012.07.018
NLM
Sotomayor NM, Cabral LA, Davila LYA, Gusev GM. Classical magnetoresistance of a ballistic electron gas constrained to non-planar topographies in a lattice of antidots under tilted magnetic field [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2012 ; 45 135-145.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2012.07.018
Vancouver
Sotomayor NM, Cabral LA, Davila LYA, Gusev GM. Classical magnetoresistance of a ballistic electron gas constrained to non-planar topographies in a lattice of antidots under tilted magnetic field [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2012 ; 45 135-145.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2012.07.018
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. (2012)
Pires, Diego Paiva; Bernardes, Esmerindo de Sousa
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SPINTRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIRES, Diego Paiva e BERNARDES, Esmerindo de Sousa. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. 2012, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2012. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pires, D. P., & Bernardes, E. de S. (2012). Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Pires DP, Bernardes E de S. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pires DP, Bernardes E de S. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. Livro de Resumos. 2012 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. (2011)
Pires, Diego Paiva; Bernardes, Esmerindo de Sousa
Fonte: Caderno de Resumos. Nome do evento: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assuntos: SPINTRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIRES, Diego Paiva e BERNARDES, Esmerindo de Sousa. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pires, D. P., & Bernardes, E. de S. (2011). Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. In Caderno de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Pires DP, Bernardes E de S. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pires DP, Bernardes E de S. Estrutura eletrônica de sistemas hexagonais via o método k.p. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto ; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, Gustavo Martini
Fonte: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Artigo de periodico
Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations (2007)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, v. 75, n. 19, p. 193203/1-193203/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations. Physical Review B, 75( 19), 193203/1-193203/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Hf defects in c-Si and their importance for the 'HfO IND.2/Si interface: density-functional calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 19): 193203/1-193203/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000019193203000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure (2007)
Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2007). Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules (2007)
Mota, R; Fagan, Solange B; Fazzio, Adalberto
Fonte: Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MOTA, R e FAGAN, Solange B e FAZZIO, Adalberto. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules. Surface Science, v. 601, n. 18, p. 4102-4104, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mota, R., Fagan, S. B., & Fazzio, A. (2007). First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules. Surface Science, 601( 18), 4102-4104. doi:10.1016/j.susc.2007.04.165
NLM
Mota R, Fagan SB, Fazzio A. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 18): 4102-4104.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165
Vancouver
Mota R, Fagan SB, Fazzio A. First principles study of titanium-coated carbon nanotubes as sensors for carbon monoxide molecules [Internet]. Surface Science. 2007 ; 601( 18): 4102-4104.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.04.165
Artigo de periodico
Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2007)
Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, v. 75, n. 11, p. 115113/1-115113/6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Arantes Junior, J. T., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations. Physical Review B, 75( 11), 115113/1-115113/6. doi:10.1103/physrevb.75.115113
NLM
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Vancouver
Arantes Junior JT, Silva AJR da, Fazzio A. Structural, electronic, and magnetic properties of Mn-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 11): 115113/1-115113/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.115113
Artigo de periodico
Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons (2007)
Martins, T B; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, T B et al. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, v. 98, n. 19, p. 196803/1-196803/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martins, T. B., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, 98( 19), 196803/1-196803/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain (2007)
Ribeiro Junior, M; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal

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