ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Vancouver
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin (2009)
Lima, Filipe Camargo Dalmatti Alves; Gonçalves, M. B.; Zucolotto, Valtencir ; Petrilli, Helena Maria
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Subjects: CARBOIDRATOS, PROTEÍNAS, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Filipe Camargo Dalmatti Alves et al. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lima, F. C. D. A., Gonçalves, M. B., Zucolotto, V., & Petrilli, H. M. (2009). Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films (2009)
Pinto, M. F. S.; Ramos, R.; Faria, Roberto Mendonça ; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINTO, M. F. S. et al. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pinto, M. F. S., Ramos, R., Faria, R. M., & Caldas, M. J. (2009). Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (2008)
Mamani, Rolando Larico ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, DIAMANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMANI, Rolando Larico. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L. (2008). Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
NLM
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Vancouver
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions (2006)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Petrilli, Helena Maria ; Schön, Cláudio Geraldo
Source: Scripta Materialia. Unidades: IF, EP
Subjects: TERMODINÂMICA, DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE, INTERAÇÕES ELETROMAGNÉTICAS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e PETRILLI, Helena Maria e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, v. 54, n. 7, p. 1271-1276, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Petrilli, H. M., & Schön, C. G. (2006). Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, 54( 7), 1271-1276. doi:10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
NLM
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study (2006)
Silva, L B da; Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, L B da et al. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, L. B. da, Fagan, S. B., Mota, R., & Fazzio, A. (2006). Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, 17( 16), 4088-4091. doi:10.1088/0957-4484/17/16/016
NLM
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Vancouver
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Artigo de periodico
Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA (2006)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3A, p. 799-807, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, 36( 3A), 799-807. doi:10.1590/s0103-97332006000500039
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Trabalho de evento-resumo
Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN (2005)
Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Felice, Rosa Di; Corni, Stefano
Source: Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Caldas, M. J., Petrilli, H. M., Felice, R. D., & Corni, S. (2005). Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Silva, C R S da; Pereyra, Inés ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Silva, C. R. S. da, Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Can the III-Nitrides form polytypes (2005)
Silva, C C; Leite Alves, H W; Scolfato, L M R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C C e LEITE ALVES, H W e SCOLFATO, L M R. Can the III-Nitrides form polytypes. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, C. C., Leite Alves, H. W., & Scolfato, L. M. R. (2005). Can the III-Nitrides form polytypes. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
NLM
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Vancouver
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE (2005)
Santos, M A; Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Blochl, P E
Source: Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, M A et al. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, M. A., Caldas, M. J., Petrilli, H. M., & Blochl, P. E. (2005). Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Artigo de periodico
Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes (2004)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Funding Agencies

Normalized affiliation

Non normalized affiliation