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Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
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Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin (2009)
Lima, Filipe Camargo Dalmatti Alves; Gonçalves, M. B.; Zucolotto, Valtencir ; Petrilli, Helena Maria
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: CARBOIDRATOS, PROTEÍNAS, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LIMA, Filipe Camargo Dalmatti Alves et al. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Lima, F. C. D. A., Gonçalves, M. B., Zucolotto, V., & Petrilli, H. M. (2009). Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films (2009)
Pinto, M. F. S.; Ramos, R.; Faria, Roberto Mendonça ; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
PINTO, M. F. S. et al. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Pinto, M. F. S., Ramos, R., Faria, R. M., & Caldas, M. J. (2009). Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 05 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (2008)
Mamani, Rolando Larico ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, DIAMANTE
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ABNT
MAMANI, Rolando Larico. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L. (2008). Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
NLM
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
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Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions (2006)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Petrilli, Helena Maria ; Schön, Cláudio Geraldo
Fonte: Scripta Materialia. Unidades: IF, EP
Assuntos: TERMODINÂMICA, DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE, INTERAÇÕES ELETROMAGNÉTICAS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e PETRILLI, Helena Maria e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, v. 54, n. 7, p. 1271-1276, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Petrilli, H. M., & Schön, C. G. (2006). Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, 54( 7), 1271-1276. doi:10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
NLM
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study (2006)
Silva, L B da; Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, L B da et al. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Silva, L. B. da, Fagan, S. B., Mota, R., & Fazzio, A. (2006). Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, 17( 16), 4088-4091. doi:10.1088/0957-4484/17/16/016
NLM
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Vancouver
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Artigo de periodico
Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA (2006)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3A, p. 799-807, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, 36( 3A), 799-807. doi:10.1590/s0103-97332006000500039
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Trabalho de evento-resumo
Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN (2005)
Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Felice, Rosa Di; Corni, Stefano
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Caldas, M. J., Petrilli, H. M., Felice, R. D., & Corni, S. (2005). Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Silva, C R S da; Pereyra, Inés ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Silva, C. R. S. da, Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 05 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Silva CRS da, Pereyra I, Assali LVC. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2025 nov. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Can the III-Nitrides form polytypes (2005)
Silva, C C; Leite Alves, H W; Scolfato, L M R
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C C e LEITE ALVES, H W e SCOLFATO, L M R. Can the III-Nitrides form polytypes. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Silva, C. C., Leite Alves, H. W., & Scolfato, L. M. R. (2005). Can the III-Nitrides form polytypes. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
NLM
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Vancouver
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE (2005)
Santos, M A; Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Blochl, P E
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SANTOS, M A et al. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Santos, M. A., Caldas, M. J., Petrilli, H. M., & Blochl, P. E. (2005). Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Artigo de periodico
Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes (2004)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nano Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias (2004)
Silva, Leandro Barros da; Mota, Ronaldo; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fagan, Solange Binotto
Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Leandro Barros da et al. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf. Acesso em: 05 nov. 2025.
APA
Silva, L. B. da, Mota, R., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Fagan, S. B. (2004). Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf
NLM
Silva LB da, Mota R, Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf
Vancouver
Silva LB da, Mota R, Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf

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