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Artigo de periodico
Electronic properties of isolated nickel in diamond (2004)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N (2002)
Ramos, L. E.; Furthmüller, J.; Bechstedt, F.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, 14( 10), 2577-2589. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Vancouver
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos (2001)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÁTOMOS
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2001). Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 08 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 08 ]

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