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Artigo de periodico
Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles (2022)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Mendoza, Miguel A. ; Schön, Cláudio Geraldo
Fonte: Materials Today Communications. Unidade: EP
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ENERGIA TÉRMICA, ÓPTICA
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ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e MENDOZA, Miguel A. e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles. Materials Today Communications, v. 31, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Mendoza, M. A., & Schön, C. G. (2022). Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles. Materials Today Communications, 31. doi:10.1016/j.mtcomm.2022.103200
NLM
Gonzales Ormeño PG, Mendoza MA, Schön CG. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles [Internet]. Materials Today Communications. 2022 ;31[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Mendoza MA, Schön CG. Thermodynamic and optoelectronic properties of GaAsM (M Fe,Cu) ternary compounds via first principles [Internet]. Materials Today Communications. 2022 ;31[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103200
Artigo de periodico
A combined theoretical and experimental study of electronic structure and optical properties of β-ZnMoO4 microcrystals (2013)
Cavalcante, L. S.; Moraes, E.; Almeida, M. A. P.; Dalmaschio, C. J.; Batista, N. C.; Varela, J. A.; Longo, E.; Siu Li, Máximo ; Andrés, J.; Beltrán, A.
Fonte: Polyhedron. Unidade: IFSC
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÓPTICA, CRISTALOGRAFIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, RAIOS X
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ABNT
CAVALCANTE, L. S. et al. A combined theoretical and experimental study of electronic structure and optical properties of β-ZnMoO4 microcrystals. Polyhedron, v. 54, p. 13-25, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.poly.2013.02.006. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Cavalcante, L. S., Moraes, E., Almeida, M. A. P., Dalmaschio, C. J., Batista, N. C., Varela, J. A., et al. (2013). A combined theoretical and experimental study of electronic structure and optical properties of β-ZnMoO4 microcrystals. Polyhedron, 54, 13-25. doi:10.1016/j.poly.2013.02.006
NLM
Cavalcante LS, Moraes E, Almeida MAP, Dalmaschio CJ, Batista NC, Varela JA, Longo E, Siu Li M, Andrés J, Beltrán A. A combined theoretical and experimental study of electronic structure and optical properties of β-ZnMoO4 microcrystals [Internet]. Polyhedron. 2013 ; 54 13-25.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.poly.2013.02.006
Vancouver
Cavalcante LS, Moraes E, Almeida MAP, Dalmaschio CJ, Batista NC, Varela JA, Longo E, Siu Li M, Andrés J, Beltrán A. A combined theoretical and experimental study of electronic structure and optical properties of β-ZnMoO4 microcrystals [Internet]. Polyhedron. 2013 ; 54 13-25.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.poly.2013.02.006
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Trabalho de evento-resumo
Optical properties from nitride semiconductor quantum dots (2006)
Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Eurydice, Marcel Nogueira; Marin, Ivan Silvestre Paganini; Santos, Elton Márcio da Silva; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Fonte: Final Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidades: IF, IFSC
Assuntos: LASER, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÓPTICA, LUMINESCÊNCIA, ABSORÇÃO, ESPECTROS
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ABNT
SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro et al. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2006. . Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Eurydice, M. N., Marin, I. S. P., Santos, E. M. da S., Sipahi, G. M., & Silva Júnior, E. F. da. (2006). Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. In Final Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat.
NLM
Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Eurydice MN, Marin ISP, Santos EM da S, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. Final Program. 2006 ;[citado 2025 nov. 06 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Eurydice MN, Marin ISP, Santos EM da S, Sipahi GM, Silva Júnior EF da. Optical properties from nitride semiconductor quantum dots. Final Program. 2006 ;[citado 2025 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA
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ABNT
MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
NLM
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Vancouver
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Artigo de periodico
Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2003)
Duarte, C A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Martini, S; Leite, J. R.; Meneses, E A; Lauretto, E
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1568538. Acesso em: 06 nov. 2025.
APA
Duarte, C. A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Martini, S., Leite, J. R., et al. (2003). Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 93( 10), 6279-6283. doi:10.1063/1.1568538
NLM
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Vancouver
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2025 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538

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