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Artigo de periodico
Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers (2004)
Ruini, Alice; Ferretti, Andrea; Bussi, Giovanni; Molinari, Elisa; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Semicondutor Science and Technology. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RUINI, Alice et al. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Ruini, A., Ferretti, A., Bussi, G., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2004). Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers. Semicondutor Science and Technology. doi:10.1088/0268-1242/19/4/119
NLM
Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119
Vancouver
Ruini A, Ferretti A, Bussi G, Molinari E, Caldas MJ. Relationship between structural and optoelectronic properties in semiconducting polymers [Internet]. Semicondutor Science and Technology. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/19/4/119
Artigo de periodico
Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes (2004)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nano Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide (2004)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Godoi, Adriana Lima de
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Godoi, A. L. de. (2004). Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.155212
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF, Godoi AL de. Structural and electronic properties of 3d transition metal impurities in silicon carbide [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.155212
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips

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